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双向可控硅误导通原因

2015-9-10 11:14:47      点击:

双向可控硅误导通原因

(1)电子噪声引发门极信号
在电子噪声充斥的环境中,若干扰电压超过VGT,并有足够的门极电流,就会发生假触发,导致双向可控硅切换。

(2)超过最大切换电压上升率dVCOM/dt
当负载电流过零时双向可控硅发生切换,由于相位差电压并不为零,这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率若超过允许的dVCOM/dt,会迫使双向可控
硅回复导通状态。因为载流子没有充分的时间自结上撤出。

(3) 超出最大的切换电流变化率dICOM/dt
过高的dIT/dt 可能导致局部烧毁,并使MT1-MT2 短路。高dIT/dt 承受能力决定于门极电流上升率dIG/dt 和峰值IG。较高的dIG/dt 值和峰值IG
(d) 超出最大的断开电压变化率dVD/dt
若截止的双向可控硅上(或门极灵敏的闸流管)作用很高的电压变化率,尽管不超过VDRM,电容性内部电流能产生足够大的门极电流,并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。